H5ANAG6NCR-UHC vs H5ANAG6NCR-VKC 비교

다음의 상세 나란히 비교: H5ANAG6NCR-UHC 제조: SK hynix 및 H5ANAG6NCR-VKC 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 H5ANAG6NCR-UHC H5ANAG6NCR-VKC
브랜드 SK hynix SK hynix
카테고리 Mobile LPDDR4 Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $9.20 $0.00
메모리 유형 DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Memory Density 16 Gb (2 GB) 16 Gbit
메모리 구성 1G x 16 2G x 8
인터페이스 CMOS, Double Data Rate IV DDR4 (Double Data Rate 4)
패키지 FBGA-96 (PBGA-96) 96-ball FBGA
Die Revision C —
Speed Grade [DATA_NEEDED: Speed grade / data rate] —
Supply Voltage (VDD) [DATA_NEEDED: VDD voltage] —
동작 온도 [DATA_NEEDED: Operating temperature range] [DATA_NEEDED: temperature suffix range confirmation]
Configuration 1 Channel, 1 Rank —
Refresh [DATA_NEEDED: Refresh scheme] —
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
RoHS 상태 [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS compliance statement]
Factory Packing Quantity [DATA_NEEDED: Standard packing quantity] —
Application Main memory, embedded computing, industrial controllers Main memory (PC / server / embedded)
Supply Voltage VDD — 1.2 V
Supply Voltage VDDQ — 1.2 V
데이터 속도 — [DATA_NEEDED: verified speed grade in Mbps]
Banks — 16 banks (4 bank groups x 4)
Burst Length — BL8
Refresh Mode — 1x / 2x / 4X per JEDEC DDR4
Technology — CMOS

데이터시트 & 자료

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