H5ANAG8NAMR-UHC vs H5ANAG8NBJR-RDC Comparación
Comparación detallada lado a lado de H5ANAG8NAMR-UHC por SK hynix y H5ANAG8NBJR-RDC por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | H5ANAG8NAMR-UHC | H5ANAG8NBJR-RDC |
|---|---|---|
| Marca | SK hynix | SK hynix |
| Categoría | Memory ICs | DRAM |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $2,15 | $3,55 |
| Manufacturer | SK Hynix | — |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gbit | 16 Gbit |
| Organización de memoria | 2G x 8 | 2G x 8 |
| Velocidad de datos | DDR4-2400 (2400 MT/s) | — |
| Tensión de alimentación | 1.2 V | — |
| Encapsulado | FBGA-78 | 78-ball FBGA |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Interfaz | Parallel, DDR4 | SSTL12 |
| Bank Group Architecture | DDR4 bank-group architecture | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| Temperatura de funcionamiento | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] |
| Refresh | Self-refresh and auto-refresh (DDR4) | Self-refresh and auto-refresh (8K/64ms class per family datasheet) |
| Nivel MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Estado RoHS | Compliant (lead-free FBGA package) | Compliant (lead-free PBGA per family product data) |
| Applications | Data storage, firmware boot, industrial controllers, computing modules | — |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| Speed Grade (suffix R) | — | DDR4-2666 class |
| Bank Groups | — | 4 (per 16Gb DDR4 family datasheet) |
| Data Strobe | — | DQS with read/write training |
| Data Bus Inversion | — | Supported (DBI) |
| Latencia CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Estado del ciclo de vida | — | Active |