H5ANAG8NBJR-VKC vs H5ANAG8NAMR-UHC Comparación

Comparación detallada lado a lado de H5ANAG8NBJR-VKC por SK hynix y H5ANAG8NAMR-UHC por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

SK hynix
H5ANAG8NAMR-UHC H5ANAG8NAMR-UHC - 16Gb DDR4-2400 SDRAM 2Gx8 | SK Hynix

H5ANAG8NAMR-UHC - 16Gb DDR4-2400 SDRAM 2Gx8 | SK Hynix

H5ANAG8NAMR-UHC ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro H5ANAG8NBJR-VKC H5ANAG8NAMR-UHC
Marca SK hynix SK hynix
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $8,60 $2,15
Tipo de memoria DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 16 Gbit 16 Gbit
Organización de memoria 2G x 8 2G x 8
Speed Grade DDR4-2666 (2666 Mbps/pin) —
Tensión de alimentación 1.14 V to 1.26 V (VDDQ) 1.2 V
Clock Frequency 1.6 GHz (internal interface per distributor data) —
Temperatura de funcionamiento 0C to +85C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Encapsulado FBGA-78 FBGA-78
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Standby Current 30 mA (operating, per distributor listing) —
Auto Self-Refresh Yes —
Data Mask Function Yes —
Dynamic On-Chip Termination Yes —
Asynchronous Reset Yes —
ZQ Calibration Yes —
Write Leveling Yes —
CRC Function Yes —
Auto Precharge Yes —
Estado RoHS Compliant, Lead-Free and Halogen-Free Compliant (lead-free FBGA package)
Refresh Interval [DATA_NEEDED: tREFI refresh interval] —
Manufacturer — SK Hynix
Velocidad de datos — DDR4-2400 (2400 MT/s)
Interfaz — Parallel, DDR4
Bank Group Architecture — DDR4 bank-group architecture
On-Die Termination (ODT) — Yes
Refresh — Self-refresh and auto-refresh (DDR4)
Nivel MSL — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]
Applications — Data storage, firmware boot, industrial controllers, computing modules

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