H5ANAG8NBJR-VKC vs H5ANAG8NAMR-UHC Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5ANAG8NBJR-VKC par SK hynix et H5ANAG8NAMR-UHC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | H5ANAG8NBJR-VKC | H5ANAG8NAMR-UHC |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | SK hynix |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $8,60 | $2,15 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gbit | 16 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 2G x 8 | 2G x 8 |
| Speed Grade | DDR4-2666 (2666 Mbps/pin) | — |
| Tension d'alimentation | 1.14 V to 1.26 V (VDDQ) | 1.2 V |
| Clock Frequency | 1.6 GHz (internal interface per distributor data) | — |
| Température de fonctionnement | 0C to +85C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Boîtier | FBGA-78 | FBGA-78 |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Standby Current | 30 mA (operating, per distributor listing) | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Statut RoHS | Compliant, Lead-Free and Halogen-Free | Compliant (lead-free FBGA package) |
| Refresh Interval | [DATA_NEEDED: tREFI refresh interval] | — |
| Manufacturer | — | SK Hynix |
| Débit de données | — | DDR4-2400 (2400 MT/s) |
| Interface | — | Parallel, DDR4 |
| Bank Group Architecture | — | DDR4 bank-group architecture |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| Refresh | — | Self-refresh and auto-refresh (DDR4) |
| Niveau MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |
| Applications | — | Data storage, firmware boot, industrial controllers, computing modules |