H5ANAG8NBJR-VKC vs MT40A2G8AG-062E Comparación

Comparación detallada lado a lado de H5ANAG8NBJR-VKC por SK hynix y MT40A2G8AG-062E por Micron Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Micron Technology
MT40A2G8AG-062E MT40A2G8AG-062E - 16Gb DDR4 SDRAM 2Gx8 3200Mbps | Micron

MT40A2G8AG-062E - 16Gb DDR4 SDRAM 2Gx8 3200Mbps | Micron

MT40A2G8AG-062E ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro H5ANAG8NBJR-VKC MT40A2G8AG-062E
Marca SK hynix Micron Technology
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $8,60 $9,75
Tipo de memoria DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 16 Gbit 16 Gbit
Organización de memoria 2G x 8 2G x 8
Speed Grade DDR4-2666 (2666 Mbps/pin) —
Tensión de alimentación 1.14 V to 1.26 V (VDDQ) —
Clock Frequency 1.6 GHz (internal interface per distributor data) 1600 MHz
Temperatura de funcionamiento 0C to +85C —
Encapsulado FBGA-78 78-FBGA (7.5 x 11 mm)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Standby Current 30 mA (operating, per distributor listing) —
Auto Self-Refresh Yes —
Data Mask Function Yes —
Dynamic On-Chip Termination Yes —
Asynchronous Reset Yes —
ZQ Calibration Yes —
Write Leveling Yes —
CRC Function Yes —
Auto Precharge Yes —
Estado RoHS Compliant, Lead-Free and Halogen-Free Compliant
Refresh Interval [DATA_NEEDED: tREFI refresh interval] —
Speed — DDR4-3200 (3200 MT/s)
Access Time (Clock Cycle Time) — 0.625 ns (tCK)
Latencia CAS — CL22 (DDR4-3200)
Access Time — 19 ns
Supply Voltage VDD — 1.2 V
I/O Interface — POD12 (1.2 V pseudo-open drain)
VPP Voltage — 2.5 V
Number of Banks — 16 (4 bank groups x 4 banks)
Operating Temperature (AUT grade) — -40C to +95C (per Micron grade table)
Die Revision — AG (current generation)

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