H5ANAG8NBJR-VKC vs MT40A2G8AG-062E Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de H5ANAG8NBJR-VKC par SK hynix et MT40A2G8AG-062E par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Micron Technology
MT40A2G8AG-062E MT40A2G8AG-062E - 16Gb DDR4 SDRAM 2Gx8 3200Mbps | Micron

MT40A2G8AG-062E - 16Gb DDR4 SDRAM 2Gx8 3200Mbps | Micron

MT40A2G8AG-062E ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre H5ANAG8NBJR-VKC MT40A2G8AG-062E
Marque SK hynix Micron Technology
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $8,60 $9,75
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 16 Gbit 16 Gbit
Organisation de la mémoire 2G x 8 2G x 8
Speed Grade DDR4-2666 (2666 Mbps/pin) —
Tension d'alimentation 1.14 V to 1.26 V (VDDQ) —
Clock Frequency 1.6 GHz (internal interface per distributor data) 1600 MHz
Température de fonctionnement 0C to +85C —
Boîtier FBGA-78 78-FBGA (7.5 x 11 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Standby Current 30 mA (operating, per distributor listing) —
Auto Self-Refresh Yes —
Data Mask Function Yes —
Dynamic On-Chip Termination Yes —
Asynchronous Reset Yes —
ZQ Calibration Yes —
Write Leveling Yes —
CRC Function Yes —
Auto Precharge Yes —
Statut RoHS Compliant, Lead-Free and Halogen-Free Compliant
Refresh Interval [DATA_NEEDED: tREFI refresh interval] —
Speed — DDR4-3200 (3200 MT/s)
Access Time (Clock Cycle Time) — 0.625 ns (tCK)
Latence CAS — CL22 (DDR4-3200)
Access Time — 19 ns
Supply Voltage VDD — 1.2 V
I/O Interface — POD12 (1.2 V pseudo-open drain)
VPP Voltage — 2.5 V
Number of Banks — 16 (4 bank groups x 4 banks)
Operating Temperature (AUT grade) — -40C to +95C (per Micron grade table)
Die Revision — AG (current generation)

Fiches techniques et ressources

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