H5ANAG8NCJR-XNC vs H5ANAG8NCR-VKC Comparación
Comparación detallada lado a lado de H5ANAG8NCJR-XNC por SK hynix y H5ANAG8NCR-VKC por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | H5ANAG8NCJR-XNC | H5ANAG8NCR-VKC |
|---|---|---|
| Marca | SK hynix | SK hynix |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $65,63 | $28,13 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gbit | — |
| Organización de memoria | 2G x 8 | — |
| Velocidad de datos | 3200 MT/s (DDR4-3200) | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Encapsulado | FBGA-78 (7.5 x 11 mm) | FBGA-78 |
| Temperatura de funcionamiento | 0C to +95C | 0C to +85C |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Process Node | 1z nm (non-EUV) | — |
| Die Bit Density | 0.296 Gb/mm2 | — |
| Peak Bandwidth (per 64-bit channel) | 25.6 GB/s at DDR4-3200 | — |
| CAS Latency (CL) | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh specification] | — |
| Estado RoHS | Compliant | Compliant |
| Base Part Number Family | H5ANAG8NCJR (16Gb DDR4 CMOS SDRAM) | — |
| Speed Grade Suffix | -XNC (0~95C commercial) | — |
| Memory Organization | — | [DATA_NEEDED: organization (e.g. 2G x8)] |
| Tamaño de memoria | — | 16 Gbit |
| Supply Voltage Range | — | 1.14 V to 1.26 V |
| Nominal Supply Voltage | — | 1.2 V |
| Max Data Rate | — | [DATA_NEEDED: Mbps per pin for VKC grade] |
| Self Refresh | — | Auto self-refresh |
| Data Mask Function | — | Yes |
| On-Chip Termination | — | Dynamic ODT |
| Reset Function | — | Asynchronous reset |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| CRC / CA Parity | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Standby Current | — | [DATA_NEEDED: IDD current spec] |