H5TC4G63CFR-H9I vs H5TC4G63CFR-PBA Comparación
Comparación detallada lado a lado de H5TC4G63CFR-H9I por SK hynix y H5TC4G63CFR-PBA por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | H5TC4G63CFR-H9I | H5TC4G63CFR-PBA |
|---|---|---|
| Marca | SK hynix | SK hynix |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $7,20 | $6,23 |
| Tipo de memoria | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | 4Gb |
| Organización de memoria | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Tensión de alimentación | 1.35 V | — |
| I/O Voltage | 1.35 V | — |
| Velocidad de datos | 1866 Mbps (PC3-14900) | — |
| Encapsulado | 96-ball TFBGA | 96-ball FBGA (PBGA96) |
| Temperature Grade | Industrial (-40°C to +95°C) | — |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Memory Width | 16 bits | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Sin halógenos | Yes | Yes |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Latencia CAS | Programmable (11, 12, 13) | — |
| Burst Length | 8 and 4 | — |
| On-Die Termination | Yes | — |
| Refresh Modes | Auto-refresh, Self-refresh | — |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.35V +0.100/-0.067V |
| Clock Input | — | Fully differential (CK, CK) |
| Data Strobe | — | Differential (DQS, DQS) |
| On-chip DLL | — | Yes |
| Data Mask (DM) | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Dynamic ODT | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |