H5TC4G63CFR-H9I vs H5TC4G63CFR-PBA Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5TC4G63CFR-H9I par SK hynix et H5TC4G63CFR-PBA par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | H5TC4G63CFR-H9I | H5TC4G63CFR-PBA |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | SK hynix |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $7,20 | $6,23 |
| Type de mémoire | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | 4Gb |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Tension d'alimentation | 1.35 V | — |
| I/O Voltage | 1.35 V | — |
| Débit de données | 1866 Mbps (PC3-14900) | — |
| Boîtier | 96-ball TFBGA | 96-ball FBGA (PBGA96) |
| Temperature Grade | Industrial (-40°C to +95°C) | — |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Memory Width | 16 bits | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Sans halogène | Yes | Yes |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Latence CAS | Programmable (11, 12, 13) | — |
| Burst Length | 8 and 4 | — |
| On-Die Termination | Yes | — |
| Refresh Modes | Auto-refresh, Self-refresh | — |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.35V +0.100/-0.067V |
| Clock Input | — | Fully differential (CK, CK) |
| Data Strobe | — | Differential (DQS, DQS) |
| On-chip DLL | — | Yes |
| Data Mask (DM) | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Dynamic ODT | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |