H5TC4G63CFR-PBA vs H5TC4G63CFR-H9I Comparación

Comparación detallada lado a lado de H5TC4G63CFR-PBA por SK hynix y H5TC4G63CFR-H9I por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

SK hynix
H5TC4G63CFR-PBA H5TC4G63CFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63CFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63CFR-PBA ✓ Activo
SK hynix
H5TC4G63CFR-H9I H5TC4G63CFR-H9I - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63CFR-H9I - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63CFR-H9I ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro H5TC4G63CFR-PBA H5TC4G63CFR-H9I
Marca SK hynix SK hynix
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $6,23 $7,20
Tipo de memoria DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4Gb 4 Gb
Organización de memoria 256M x 16 256M x 16
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.35V +0.100/-0.067V —
Encapsulado 96-ball FBGA (PBGA96) 96-ball TFBGA
Clock Input Fully differential (CK, CK) —
Data Strobe Differential (DQS, DQS) —
On-chip DLL Yes —
Data Mask (DM) Yes —
Auto Precharge Yes —
Auto Self-Refresh Yes —
Dynamic ODT Yes —
ZQ Calibration Yes —
Write Leveling Yes —
Asynchronous Reset Yes —
RoHS Compliant —
Sin halógenos Yes Yes
Lead-Free Yes Yes
Tensión de alimentación — 1.35 V
I/O Voltage — 1.35 V
Velocidad de datos — 1866 Mbps (PC3-14900)
Temperature Grade — Industrial (-40°C to +95°C)
Number of Terminals — 96
Memory Width — 16 bits
RoHS Compliant — Yes
Latencia CAS — Programmable (11, 12, 13)
Burst Length — 8 and 4
On-Die Termination — Yes
Refresh Modes — Auto-refresh, Self-refresh

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