H5TC4G63CFR-PBA vs H5TC4G63CFR-H9I Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de H5TC4G63CFR-PBA par SK hynix et H5TC4G63CFR-H9I par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

SK hynix
H5TC4G63CFR-PBA H5TC4G63CFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63CFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63CFR-PBA ✓ Actif
SK hynix
H5TC4G63CFR-H9I H5TC4G63CFR-H9I - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63CFR-H9I - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63CFR-H9I ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre H5TC4G63CFR-PBA H5TC4G63CFR-H9I
Marque SK hynix SK hynix
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $6,23 $7,20
Type de mémoire DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4Gb 4 Gb
Organisation de la mémoire 256M x 16 256M x 16
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.35V +0.100/-0.067V —
Boîtier 96-ball FBGA (PBGA96) 96-ball TFBGA
Clock Input Fully differential (CK, CK) —
Data Strobe Differential (DQS, DQS) —
On-chip DLL Yes —
Data Mask (DM) Yes —
Auto Precharge Yes —
Auto Self-Refresh Yes —
Dynamic ODT Yes —
ZQ Calibration Yes —
Write Leveling Yes —
Asynchronous Reset Yes —
RoHS Compliant —
Sans halogène Yes Yes
Lead-Free Yes Yes
Tension d'alimentation — 1.35 V
I/O Voltage — 1.35 V
Débit de données — 1866 Mbps (PC3-14900)
Temperature Grade — Industrial (-40°C to +95°C)
Number of Terminals — 96
Memory Width — 16 bits
RoHS Compliant — Yes
Latence CAS — Programmable (11, 12, 13)
Burst Length — 8 and 4
On-Die Termination — Yes
Refresh Modes — Auto-refresh, Self-refresh

Fiches techniques et ressources

Parcourir tous les produits Créer un BOM Demander un devis