H5TC4G63CFR-XXL vs K4B4G1646E-BYMA Comparación

Comparación detallada lado a lado de H5TC4G63CFR-xxL por SK hynix y K4B4G1646E-BYMA por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

SK hynix
H5TC4G63CFR-xxL H5TC4G63CFR-xxL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63CFR-xxL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63CFR-xxL ✓ Activo
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYMA K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro H5TC4G63CFR-xxL K4B4G1646E-BYMA
Marca SK hynix Samsung Electronics
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $6,50 $14,32
Tipo de memoria DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4Gb 4 Gb
Organización de memoria 256M x 16 256M x 16
Tensión de alimentación 1.35V 1.35 V (1.28 V to 1.575 V)
Encapsulado 96-pin FBGA FBGA-96
Velocidad de datos [DATA_NEEDED: data rate] 1866 Mbps/pin
Latencia CAS [DATA_NEEDED: CAS latency] [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Burst Length 8 (with burst chop) [DATA_NEEDED: Burst Length]
Rango de temperatura de funcionamiento [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Sin halógenos Yes —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Número de pines 96 96
Interfaz DDR3L —
Clock Frequency — 933 MHz
Temperatura de funcionamiento — 0°C to +95°C
Operating Current — 14 mA
Standby Current — 2 mA, 3 mA

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