H5TC4G63CFR-XXL vs K4B4G1646E-BYMA Comparação

Comparação detalhada lado a lado de H5TC4G63CFR-xxL por SK hynix e K4B4G1646E-BYMA por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

SK hynix
H5TC4G63CFR-xxL H5TC4G63CFR-xxL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63CFR-xxL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63CFR-xxL ✓ Ativo
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYMA K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro H5TC4G63CFR-xxL K4B4G1646E-BYMA
Marca SK hynix Samsung Electronics
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $6,50 $14,32
Tipo de memória DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4Gb 4 Gb
Organização da memória 256M x 16 256M x 16
Tensão de alimentação 1.35V 1.35 V (1.28 V to 1.575 V)
Encapsulamento 96-pin FBGA FBGA-96
Taxa de dados [DATA_NEEDED: data rate] 1866 Mbps/pin
Latência CAS [DATA_NEEDED: CAS latency] [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Burst Length 8 (with burst chop) [DATA_NEEDED: Burst Length]
Faixa de temperatura de operação [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Livre de halogênio Yes —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Número de pinos 96 96
Interface DDR3L —
Clock Frequency — 933 MHz
Temperatura de operação — 0°C to +95°C
Operating Current — 14 mA
Standby Current — 2 mA, 3 mA

Fichas técnicas e recursos

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