IAUC41N06S5N102ATMA1 vs IAUC120N06S5L015ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IAUC41N06S5N102ATMA1 por Infineon y IAUC120N06S5L015ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
IAUC120N06S5L015ATMA1 IAUC120N06S5L015ATMA1 - 60V 1.5mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUC120N06S5L015ATMA1 - 60V 1.5mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUC120N06S5L015ATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro IAUC41N06S5N102ATMA1 IAUC120N06S5L015ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,58 $0,92
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Family OptiMOS 5 Power-Transistor —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 60 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 47 A (Tj) —
Power Dissipation (PD, Tc=25C) 42 W 167 W
On-Resistance (RDS(on)) 10.2 mΩ at VGS=10 V, ID=20 A —
Gate-Source Threshold (VGS(th)) 3.4 V (typical) —
Total Gate Charge (QG) 12.5 nC —
Encapsulado PG-TDSON-8-33 (SSO8) Surface Mount PG-TDSON-8-43 (Surface Mount)
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +175C (junction) -55C to +175C (Tj)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount (exposed pad)
Automotive Qualification AEC-Q101 (per Infineon automotive MOSFET family) AEC-Q101 qualified
Estado RoHS Compliant Compliant
Channel Polarity N-Channel (single) —
Technology — N-Channel MOSFET (OptiMOS 5)
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 235 A
On-Resistance RDS(on) max (VGS=10 V) — 1.5 mΩ
Gate Charge (Qg, typ) — 88 nC
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Nivel MSL — [DATA_NEEDED: MSL level]
Drain-Source On-State Resistance Test Conditions — VGS = 10 V, ID = 50 A
Typical Application — Automotive DC-DC, battery switches, motor drives

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