IAUC41N06S5N102ATMA1 vs ISC015N06NM5ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IAUC41N06S5N102ATMA1 por Infineon y ISC015N06NM5ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IAUC41N06S5N102ATMA1 ISC015N06NM5ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,58 $0,62
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS 5 Power-Transistor —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 47 A (Tj) —
Power Dissipation (PD, Tc=25C) 42 W —
On-Resistance (RDS(on)) 10.2 mΩ at VGS=10 V, ID=20 A —
Gate-Source Threshold (VGS(th)) 3.4 V (typical) —
Total Gate Charge (QG) 12.5 nC —
Encapsulado PG-TDSON-8-33 (SSO8) Surface Mount PG-TDSON-8 (PQFN 5x6) Drain-Down
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +175C (junction) -55 C to +175 C
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 (per Infineon automotive MOSFET family) —
Estado RoHS Compliant Compliant
Channel Polarity N-Channel (single) —
Product Family — OptiMOS 5
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 33 A
Pulsed Drain Current (IDM) at TC=25C — 259 A
On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V — 1.5 mOhm
Total Power Dissipation (TA) — 3 W
Total Power Dissipation (TC) — 188 W
Technology — Trench MOSFET (OptiMOS 5)
MSL (Moisture Sensitivity Level) — 1

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