IAUC50N08S5L096ATMA1 vs BSC265N10LSFGATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IAUC50N08S5L096ATMA1 por Infineon y BSC265N10LSFGATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
IAUC50N08S5L096ATMA1 IAUC50N08S5L096ATMA1 - 80V 50A 9.6mΩ OptiMOS 5 | Infineon

IAUC50N08S5L096ATMA1 - 80V 50A 9.6mΩ OptiMOS 5 | Infineon

IAUC50N08S5L096ATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro IAUC50N08S5L096ATMA1 BSC265N10LSFGATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,98 $0,72
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Series OptiMOS 5 —
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) 50 A (Tc) —
Pulsed Drain Current (IDM) 200 A —
On-Resistance (RDS(on)) 9.6 mΩ max @ VGS=10V, ID=25A —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Power Dissipation (PD) 60 W (Tc) —
Rango de temperatura de funcionamiento -55°C to +175°C -55 C to +150 C (junction)
Encapsulado PG-TDSON-8-33 (5x6 mm) PG-TDSON-8-1 (TDSON-8)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 —
Estado RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Nivel MSL [DATA_NEEDED: MSL level] 1 (per JEDEC J-STD-020)
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 40 A
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 6.5 A
Power Dissipation (PD, Tc) — 78 W
Technology — OptiMOS 2 (TrenchFET)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min]
On-State Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=10V]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg total at VGS=10V]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss typical]
Avalanche Rated — Yes
Series — OptiMOS 2

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