IAUC50N08S5N102ATMA1 vs IPB60R280P7ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IAUC50N08S5N102ATMA1 por Infineon y IPB60R280P7ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
IAUC50N08S5N102ATMA1 IAUC50N08S5N102ATMA1 - 80V 50A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUC50N08S5N102ATMA1 - 80V 50A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUC50N08S5N102ATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro IAUC50N08S5N102ATMA1 IPB60R280P7ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,51 $0,88
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 50 A —
On-Resistance (RDS(on)) 10.2 mΩ @ 25 A, 10 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Gate-Source Voltage (VGS) Max ±20 V —
Total Gate Charge (Qg) 21 nC @ 10 V —
Input Capacitance (Ciss) 1394 pF @ 40 V —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 60 W —
Rango de temperatura de funcionamiento -55°C to +175°C -55 °C to +150 °C (T_j max)
Encapsulado / Carcasa PG-TDSON-8-33 —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Qualification AEC-Q101 —
Estado RoHS Compliant Compliant
Nivel MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Product Family — CoolMOS P7 (600 V)
Technology — Superjunction (SJ)
Drain-Source Voltage (V_DSS) — 600 V
Continuous Drain Current (I_D, T_C=25°C) — 12 A
On-Resistance R_DS(on) max (V_GS=10V) — 280 mOhm
Gate-Source Threshold V_GS(th) typ — 3.5 V
Power Dissipation P_D (T_C=25°C) — 53 W
Encapsulado — PG-TO263-3 (D2PAK)
Recuento de pines — 3 (2 + Tab)
Configuration — Single N-Channel
Lead-Free — Yes
Generation — 7th Gen CoolMOS (successor to P6)

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