IAUC60N04S6L039ATMA1 vs IPG20N10S436AATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IAUC60N04S6L039ATMA1 por Infineon y IPG20N10S436AATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
IAUC60N04S6L039ATMA1 IAUC60N04S6L039ATMA1 - 40V 60A OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IAUC60N04S6L039ATMA1 - 40V 60A OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IAUC60N04S6L039ATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro IAUC60N04S6L039ATMA1 IPG20N10S436AATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,72 $0,68
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 6 (trench) —
Drain-Source Voltage (V_DS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D, T_C=25C) 60 A —
Pulsed Drain Current (I_DM) 240 A —
R_DS(on) max @ V_GS=10V 3.9 milliohm —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Total Gate Charge (Q_G) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Power Dissipation (P_D) 42 W —
Temperatura de unión de funcionamiento -55C to +175C —
Encapsulado PG-TDSON-8 (SSO8) 5x6 mm PG-TDSON-8-10 (Wettable Flank)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Nivel MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) MSL1 (260 C peak reflow)
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101
Estado RoHS Compliant Compliant (Green Product)
Avalanche Rated Yes (100% avalanche tested) —
Configuration — Dual N-Channel (2 Elements with Built-in Diode)
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) — 20 A (per channel)
Total Power Dissipation (PD) — 43 W
Operating Mode — Enhancement Mode
Operating Temperature (TJ max) — +175 C
JESD-609 Code — e3
Avalanche Tested — 100%
AOI Compatible — Yes (Wettable Flank)
Channel Type — N-Channel Normal Level

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