IAUCN04S6N009TATMA1 vs IAUCN04S7L006ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IAUCN04S6N009TATMA1 por Infineon y IAUCN04S7L006ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
IAUCN04S7L006ATMA1 IAUCN04S7L006ATMA1 - 40V 0.6mΩ 175A N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN04S7L006ATMA1 - 40V 0.6mΩ 175A N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN04S7L006ATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro IAUCN04S6N009TATMA1 IAUCN04S7L006ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,71 $1,38
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Family OptiMOS 6 40 V —
Part Number IAUCN04S6N009T —
Ordering Code (MPN) IAUCN04S6N009TATMA1 —
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID, at Tj) 330 A —
Power Dissipation (PD, at Tc) 178 W —
On-Resistance RDS(on) max 0.9 mΩ —
Encapsulado PG-LHDSO-10-2 (SSO10T) PG-TDSON-8-43
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 6 trench MOSFET OptiMOS-7 trench
Automotive Qualification AEC-Q101 —
Lead-Free / RoHS Yes / Compliant —
Gate Threshold VGS(th) typ [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Total Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: total gate charge] —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DS) — 40 V
Continuous Drain Current (I_D) — 175 A
R_DS(on) Max — 0.6 mΩ at V_GS = 10 V
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical value]
Gate Charge (Q_g) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Rango de temperatura de funcionamiento — -55 °C to +175 °C
Automotive Qualified — Yes (AEC-Q101)
Estado RoHS — Compliant
Recuento de pines — 8
Packaging — Tape and Reel (ATMA1)
Polarity — Single N-Channel

Hojas de datos y recursos

Examinar todos los productos Crear BOM Solicitar cotización