IAUCN04S6N009TATMA1 vs IAUCN04S7L006ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IAUCN04S6N009TATMA1 par Infineon et IAUCN04S7L006ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IAUCN04S7L006ATMA1 IAUCN04S7L006ATMA1 - 40V 0.6mΩ 175A N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN04S7L006ATMA1 - 40V 0.6mΩ 175A N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN04S7L006ATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IAUCN04S6N009TATMA1 IAUCN04S7L006ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,71 $1,38
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Family OptiMOS 6 40 V —
Part Number IAUCN04S6N009T —
Ordering Code (MPN) IAUCN04S6N009TATMA1 —
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID, at Tj) 330 A —
Power Dissipation (PD, at Tc) 178 W —
On-Resistance RDS(on) max 0.9 mΩ —
Boîtier PG-LHDSO-10-2 (SSO10T) PG-TDSON-8-43
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 6 trench MOSFET OptiMOS-7 trench
Automotive Qualification AEC-Q101 —
Lead-Free / RoHS Yes / Compliant —
Gate Threshold VGS(th) typ [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Total Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: total gate charge] —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DS) — 40 V
Continuous Drain Current (I_D) — 175 A
R_DS(on) Max — 0.6 mΩ at V_GS = 10 V
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical value]
Gate Charge (Q_g) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Plage de température de fonctionnement — -55 °C to +175 °C
Automotive Qualified — Yes (AEC-Q101)
Statut RoHS — Compliant
Nombre de broches — 8
Packaging — Tape and Reel (ATMA1)
Polarity — Single N-Channel

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