IAUCN04S7N006ATMA1 vs IAUZN04S7L030ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IAUCN04S7N006ATMA1 por Infineon y IAUZN04S7L030ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IAUCN04S7N006ATMA1 IAUZN04S7L030ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,95 $0,36
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) 175 A —
On-State Resistance (RDS(on)) 0.63 mOhm (typ at VGS = 10 V) —
Gate-Source Voltage (VGS) Max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Technology OptiMOS 5 (trench) —
Encapsulado PG-TDSON-8-43 PG-TSDSON-8-44 (S3O8) 3x3 mm²
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Rango de temperatura de funcionamiento -55 C to +175 C —
Junction Temperature Max 175 C —
Power Dissipation Max (Pd) [DATA_NEEDED: Pd max] —
Gate Charge Total (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total] —
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101 (Automotive OptiMOS)
Lead-Free / RoHS Yes (compliant) —
Nivel MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 60 A
Pulsed Drain Current (IDM, Tj) — 100 A
On-State Resistance (RDS(on), VGS=10V max) — 3.05 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical]
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) — 58 W
Operating Junction Temperature (Tj) — -55C to +175C
Technology Family — OptiMOS-7
Channel Type — N-Channel
RoHS Compliance — Compliant

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