IAUCN04S7N006ATMA1 vs IAUZN04S7L030ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IAUCN04S7N006ATMA1 par Infineon et IAUZN04S7L030ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IAUCN04S7N006ATMA1 IAUZN04S7L030ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,95 $0,36
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) 175 A —
On-State Resistance (RDS(on)) 0.63 mOhm (typ at VGS = 10 V) —
Gate-Source Voltage (VGS) Max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Technology OptiMOS 5 (trench) —
Boîtier PG-TDSON-8-43 PG-TSDSON-8-44 (S3O8) 3x3 mm²
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -55 C to +175 C —
Junction Temperature Max 175 C —
Power Dissipation Max (Pd) [DATA_NEEDED: Pd max] —
Gate Charge Total (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total] —
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101 (Automotive OptiMOS)
Lead-Free / RoHS Yes (compliant) —
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 60 A
Pulsed Drain Current (IDM, Tj) — 100 A
On-State Resistance (RDS(on), VGS=10V max) — 3.05 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical]
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) — 58 W
Operating Junction Temperature (Tj) — -55C to +175C
Technology Family — OptiMOS-7
Channel Type — N-Channel
RoHS Compliance — Compliant

Fiches techniques et ressources

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