IAUCN04S7N009ATMA1 vs IAUCN04S7N006ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IAUCN04S7N009ATMA1 por Infineon y IAUCN04S7N006ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
IAUCN04S7N009ATMA1 IAUCN04S7N009ATMA1 - 40V 0.96mΩ 175A OptiMOS 7 | Infineon

IAUCN04S7N009ATMA1 - 40V 0.96mΩ 175A OptiMOS 7 | Infineon

IAUCN04S7N009ATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro IAUCN04S7N009ATMA1 IAUCN04S7N006ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,55 $0,95
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS 7 —
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) OptiMOS 5 (trench)
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D) 175 A —
R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V 0.96 mΩ —
Gate Drive Voltage (V_GS) 10 V —
Encapsulado PG-TDSON-8-34 (Surface Mount) PG-TDSON-8-43
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Temperatura de funcionamiento -55C to +175C —
Qualification AEC-Q101 (Automotive) —
Nivel MSL 1 [DATA_NEEDED: MSL rating]
Estado RoHS Compliant —
Configuration Single N-Channel —
Supplier Device Package PG-TDSON-8-34 —
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID) — 175 A
On-State Resistance (RDS(on)) — 0.63 mOhm (typ at VGS = 10 V)
Gate-Source Voltage (VGS) Max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Rango de temperatura de funcionamiento — -55 C to +175 C
Junction Temperature Max — 175 C
Power Dissipation Max (Pd) — [DATA_NEEDED: Pd max]
Gate Charge Total (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg total]
Automotive Qualification — AEC-Q101
Lead-Free / RoHS — Yes (compliant)

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