IAUCN04S7N009ATMA1 vs IAUCN04S7N006ATMA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок IAUCN04S7N009ATMA1 от Infineon и IAUCN04S7N006ATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Infineon
IAUCN04S7N006ATMA1 - 40V 175A OptiMOS N-Channel MOSFET | Infineon
IAUCN04S7N006ATMA1 ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | IAUCN04S7N009ATMA1 | IAUCN04S7N006ATMA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $1,55 | $0,95 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS 7 | — |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | OptiMOS 5 (trench) |
| Drain-to-Source Voltage (V_DSS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D) | 175 A | — |
| R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V | 0.96 mΩ | — |
| Gate Drive Voltage (V_GS) | 10 V | — |
| Корпус | PG-TDSON-8-34 (Surface Mount) | PG-TDSON-8-43 |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Рабочая температура | -55C to +175C | — |
| Qualification | AEC-Q101 (Automotive) | — |
| Уровень MSL | 1 | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Статус RoHS | Compliant | — |
| Configuration | Single N-Channel | — |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-34 | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 175 A |
| On-State Resistance (RDS(on)) | — | 0.63 mOhm (typ at VGS = 10 V) |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Диапазон рабочих температур | — | -55 C to +175 C |
| Junction Temperature Max | — | 175 C |
| Power Dissipation Max (Pd) | — | [DATA_NEEDED: Pd max] |
| Gate Charge Total (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg total] |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes (compliant) |