IAUCN04S7N009ATMA1 vs IAUCN10S7N021ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IAUCN04S7N009ATMA1 por Infineon y IAUCN10S7N021ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
IAUCN04S7N009ATMA1 IAUCN04S7N009ATMA1 - 40V 0.96mΩ 175A OptiMOS 7 | Infineon

IAUCN04S7N009ATMA1 - 40V 0.96mΩ 175A OptiMOS 7 | Infineon

IAUCN04S7N009ATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro IAUCN04S7N009ATMA1 IAUCN10S7N021ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,55 $2,05
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS 7 —
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) OptiMOS™ 7 (trench MOSFET)
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D) 175 A —
R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V 0.96 mΩ —
Gate Drive Voltage (V_GS) 10 V —
Encapsulado PG-TDSON-8-34 (Surface Mount) PG-TDSON-8-53 (SSO8, 5x6 mm) with exposed pad
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Temperatura de funcionamiento -55C to +175C —
Qualification AEC-Q101 (Automotive) AEC-Q101 (Automotive)
Nivel MSL 1 —
Estado RoHS Compliant Compliant
Configuration Single N-Channel —
Supplier Device Package PG-TDSON-8-34 —
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 175 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current IDM]
RDS(on) max @ VGS=10 V — 2.1 mΩ
Gate-Source Threshold (VGS(th)) typ — 3.2 V
Total Gate Charge (Qg) @ VGS=10 V — 105 nC
Input Capacitance (Ciss) — 2.98 nF
Output Capacitance (Coss) — 32 pF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 7.153 nF
Power Dissipation (Pd) @ Tc — 217 W
Temperatura de unión de funcionamiento — -55 °C to +175 °C

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