IAUCN04S7N009ATMA1 vs IAUCN10S7N021ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IAUCN04S7N009ATMA1 par Infineon et IAUCN10S7N021ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IAUCN04S7N009ATMA1 IAUCN04S7N009ATMA1 - 40V 0.96mΩ 175A OptiMOS 7 | Infineon

IAUCN04S7N009ATMA1 - 40V 0.96mΩ 175A OptiMOS 7 | Infineon

IAUCN04S7N009ATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IAUCN04S7N009ATMA1 IAUCN10S7N021ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,55 $2,05
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS 7 —
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) OptiMOS™ 7 (trench MOSFET)
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D) 175 A —
R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V 0.96 mΩ —
Gate Drive Voltage (V_GS) 10 V —
Boîtier PG-TDSON-8-34 (Surface Mount) PG-TDSON-8-53 (SSO8, 5x6 mm) with exposed pad
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement -55C to +175C —
Qualification AEC-Q101 (Automotive) AEC-Q101 (Automotive)
Niveau MSL 1 —
Statut RoHS Compliant Compliant
Configuration Single N-Channel —
Supplier Device Package PG-TDSON-8-34 —
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 175 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current IDM]
RDS(on) max @ VGS=10 V — 2.1 mΩ
Gate-Source Threshold (VGS(th)) typ — 3.2 V
Total Gate Charge (Qg) @ VGS=10 V — 105 nC
Input Capacitance (Ciss) — 2.98 nF
Output Capacitance (Coss) — 32 pF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 7.153 nF
Power Dissipation (Pd) @ Tc — 217 W
Température de jonction en fonctionnement — -55 °C to +175 °C

Fiches techniques et ressources

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