IAUCN04S7N015GATMA1 vs IAUC120N04S6N010ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IAUCN04S7N015GATMA1 por Infineon y IAUC120N04S6N010ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
IAUCN04S7N015GATMA1 IAUCN04S7N015GATMA1 - 40V 165A OptiMOS 7 N-FET | Infineon

IAUCN04S7N015GATMA1 - 40V 165A OptiMOS 7 N-FET | Infineon

IAUCN04S7N015GATMA1 ✓ Activo
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IAUC120N04S6N010ATMA1 IAUC120N04S6N010ATMA1 - 40V 1mΩ 150A N-Ch OptiMOS 6 | Infineon

IAUC120N04S6N010ATMA1 - 40V 1mΩ 150A N-Ch OptiMOS 6 | Infineon

IAUC120N04S6N010ATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro IAUCN04S7N015GATMA1 IAUC120N04S6N010ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $2,21 $0,68
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 7 —
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (V_DS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D) 165 A (Tc) —
Power Dissipation (P_D) 96 W (Tc) —
R_DS(on) max 1.53 mΩ at V_GS=10 V —
Gate-Source Voltage (V_GS) max [DATA_NEEDED: V_GS max] —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical] —
Encapsulado PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6) surface mount PG-TDSON-8-34 (5x6 mm leadless)
Temperatura de unión de funcionamiento -55C to +175C —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101
Total Gate Charge (Q_G) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Estado RoHS Compliant Compliant
Tipo de montaje Surface Mount (IMS-compatible source-down) Surface Mount
Nivel MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020, per Infineon TDSON family)
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) — 40 V
Continuous Drain Current (Id, Tc) — 150 A
Power Dissipation (Pd, Tc) — 150 W
RDS(on) at VGS=10V (typ) — 1.0 mΩ
RDS(on) at VGS=10V (max per LCSC excerpt) — 1.03 mΩ
Gate-Source Threshold (VGS(th), typ) — 3 V (at 90 µA)
Technology — OptiMOS 6
Rango de temperatura de funcionamiento — -55 °C to +175 °C (TJ, per Infineon OptiMOS 6 family)
Gate Drive Recommendation — 10 V VGS for full RDS(on) spec
Polarity — Single N-channel

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