IAUCN04S7N015GATMA1 vs IAUC120N04S6N010ATMA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: IAUCN04S7N015GATMA1 제조: Infineon 및 IAUC120N04S6N010ATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | IAUCN04S7N015GATMA1 | IAUC120N04S6N010ATMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $2.21 | $0.68 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 7 | — |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D) | 165 A (Tc) | — |
| Power Dissipation (P_D) | 96 W (Tc) | — |
| R_DS(on) max | 1.53 mΩ at V_GS=10 V | — |
| Gate-Source Voltage (V_GS) max | [DATA_NEEDED: V_GS max] | — |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical] | — |
| 패키지 | PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6) surface mount | PG-TDSON-8-34 (5x6 mm leadless) |
| 동작 접합 온도 | -55C to +175C | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | AEC-Q101 |
| Total Gate Charge (Q_G) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| 실장 유형 | Surface Mount (IMS-compatible source-down) | Surface Mount |
| MSL 레벨 | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (per JEDEC J-STD-020, per Infineon TDSON family) |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (Id, Tc) | — | 150 A |
| Power Dissipation (Pd, Tc) | — | 150 W |
| RDS(on) at VGS=10V (typ) | — | 1.0 mΩ |
| RDS(on) at VGS=10V (max per LCSC excerpt) | — | 1.03 mΩ |
| Gate-Source Threshold (VGS(th), typ) | — | 3 V (at 90 µA) |
| Technology | — | OptiMOS 6 |
| 동작 온도 범위 | — | -55 °C to +175 °C (TJ, per Infineon OptiMOS 6 family) |
| Gate Drive Recommendation | — | 10 V VGS for full RDS(on) spec |
| Polarity | — | Single N-channel |