IAUCN04S7N019GATMA1 vs IAUCN04S7N006TATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IAUCN04S7N019GATMA1 por Infineon y IAUCN04S7N006TATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
IAUCN04S7N006TATMA1 IAUCN04S7N006TATMA1 - 40V 425A OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUCN04S7N006TATMA1 - 40V 425A OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUCN04S7N006TATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro IAUCN04S7N019GATMA1 IAUCN04S7N006TATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,82 $2,66
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 7 —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID, Tj) 147 A —
On-Resistance RDS(on) typical 1.95 mOhm —
Maximum Power Dissipation (Tc) 81 W —
Encapsulado PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6 mm) PG-LHDSO-10-3 (10-LSOP, 5.30 mm width, exposed pad)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Substrate Compatibility IMS substrates and legacy PCB —
Automotive Qualification AEC-Q101 (per family datasheet) —
Estado RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Tape and Reel Packaging Yes (per ATMA1 suffix) —
Rango de temperatura de funcionamiento [DATA_NEEDED: junction temperature range from datasheet] [DATA_NEEDED: Tj min/max]
Polarity — N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DS) — 40 V
Continuous Drain Current (I_D, T_j) — 425 A
Power Dissipation (P_D, T_C) — 205 W
R_DS(on) (typ, V_GS=10V) — 0.63 mΩ
Technology — OptiMOS 7 (shielded-gate trench)
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical/min/max]
Total Gate Charge (Q_G) — [DATA_NEEDED: Q_G at V_GS=10V]
Automotive Grade — Yes (Infineon automotive MOSFET line)
Nivel MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]

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