IAUCN04S7N019GATMA1 vs IAUCN04S7N006TATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IAUCN04S7N019GATMA1 par Infineon et IAUCN04S7N006TATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IAUCN04S7N006TATMA1 IAUCN04S7N006TATMA1 - 40V 425A OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUCN04S7N006TATMA1 - 40V 425A OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUCN04S7N006TATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IAUCN04S7N019GATMA1 IAUCN04S7N006TATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,82 $2,66
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 7 —
Type de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID, Tj) 147 A —
On-Resistance RDS(on) typical 1.95 mOhm —
Maximum Power Dissipation (Tc) 81 W —
Boîtier PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6 mm) PG-LHDSO-10-3 (10-LSOP, 5.30 mm width, exposed pad)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Substrate Compatibility IMS substrates and legacy PCB —
Automotive Qualification AEC-Q101 (per family datasheet) —
Statut RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Tape and Reel Packaging Yes (per ATMA1 suffix) —
Plage de température de fonctionnement [DATA_NEEDED: junction temperature range from datasheet] [DATA_NEEDED: Tj min/max]
Polarity — N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DS) — 40 V
Continuous Drain Current (I_D, T_j) — 425 A
Power Dissipation (P_D, T_C) — 205 W
R_DS(on) (typ, V_GS=10V) — 0.63 mΩ
Technology — OptiMOS 7 (shielded-gate trench)
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical/min/max]
Total Gate Charge (Q_G) — [DATA_NEEDED: Q_G at V_GS=10V]
Automotive Grade — Yes (Infineon automotive MOSFET line)
Niveau MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]

Fiches techniques et ressources

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