IAUCN08S7L033ATMA1 vs IAUC50N08S5N102ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IAUCN08S7L033ATMA1 por Infineon y IAUC50N08S5N102ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
IAUCN08S7L033ATMA1 IAUCN08S7L033ATMA1 - 80V 3.3mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUCN08S7L033ATMA1 - 80V 3.3mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUCN08S7L033ATMA1 ✓ Activo
Infineon
IAUC50N08S5N102ATMA1 IAUC50N08S5N102ATMA1 - 80V 50A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUC50N08S5N102ATMA1 - 80V 50A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUC50N08S5N102ATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro IAUCN08S7L033ATMA1 IAUC50N08S5N102ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,86 $0,51
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series Automotive OptiMOS 7 OptiMOS 5
Tipo de transistor N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V 80 V
Maximum On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V 3.3 mΩ —
Continuous Drain Current (ID) at Tj 130 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C [DATA_NEEDED: ID at Tc=25C] —
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C 118 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V (typical Infineon OptiMOS 7 limit) —
Rango de temperatura de funcionamiento -55°C to +175°C (TJ) -55°C to +175°C
Encapsulado PG-TDSON-8-34 (SSO8, 5x6 mm²) —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Qualification Automotive Grade (per Infineon datasheet header) AEC-Q101
Technology OptiMOS 7 trench MOSFET —
Estado RoHS Compliant Compliant
Nivel MSL 1 (per JEDEC J-STD-020, typical for this package) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 50 A
On-Resistance (RDS(on)) — 10.2 mΩ @ 25 A, 10 V
Gate-Source Voltage (VGS) Max — ±20 V
Total Gate Charge (Qg) — 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) — 1394 pF @ 40 V
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 60 W
Encapsulado / Carcasa — PG-TDSON-8-33

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