IAUCN08S7L033ATMA1 vs IAUC50N08S5N102ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IAUCN08S7L033ATMA1 par Infineon et IAUC50N08S5N102ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IAUC50N08S5N102ATMA1 IAUC50N08S5N102ATMA1 - 80V 50A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUC50N08S5N102ATMA1 - 80V 50A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUC50N08S5N102ATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IAUCN08S7L033ATMA1 IAUC50N08S5N102ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,86 $0,51
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series Automotive OptiMOS 7 OptiMOS 5
Type de transistor N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V 80 V
Maximum On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V 3.3 mΩ —
Continuous Drain Current (ID) at Tj 130 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C [DATA_NEEDED: ID at Tc=25C] —
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C 118 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V (typical Infineon OptiMOS 7 limit) —
Plage de température de fonctionnement -55°C to +175°C (TJ) -55°C to +175°C
Boîtier PG-TDSON-8-34 (SSO8, 5x6 mm²) —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Qualification Automotive Grade (per Infineon datasheet header) AEC-Q101
Technology OptiMOS 7 trench MOSFET —
Statut RoHS Compliant Compliant
Niveau MSL 1 (per JEDEC J-STD-020, typical for this package) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 50 A
On-Resistance (RDS(on)) — 10.2 mΩ @ 25 A, 10 V
Gate-Source Voltage (VGS) Max — ±20 V
Total Gate Charge (Qg) — 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) — 1394 pF @ 40 V
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 60 W
Boîtier / Format — PG-TDSON-8-33

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