IAUS260N10S5N019TATMA1 vs IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IAUS260N10S5N019TATMA1 por Infineon y IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 - 25V N-Ch 0.29mΩ MOSFET | Infineon

IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 - 25V N-Ch 0.29mΩ MOSFET | Infineon

IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro IAUS260N10S5N019TATMA1 IQDH29NE2LM5CGSCATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $2,95 $1,84
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Series OptiMOS 5 —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-to-Source Voltage (Vds) 100 V —
Continuous Drain Current (Id) 260 A (Tj) —
On-State Resistance (Rds(on)) 1.9 mΩ (typical, 10 V Vgs) —
Power Dissipation (Pd) 300 W (Tc) —
Encapsulado PG-HDSOP-16-2 (TOLT, topside-cooled) PG-WHTFN-9-U02 (WHTFN EP)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Recuento de pines 16 9
Rango de temperatura de funcionamiento -55 C to +175 C (Tj) —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th) value] —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg value] —
Technology OptiMOS 5 trench-gate OptiMOS 5 Power-Transistor
Automotive Qualified Yes (IAUS prefix denotes automotive grade) —
Estado RoHS Compliant Compliant
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 25 V
Continuous Drain Current (Ta) — 75 A
Continuous Drain Current (Tc) — 789 A
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 278 W
Maximum On-Resistance RDS(on) — 0.29 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) — 2 V (typ)
Cooling — Dual-side exposed pad (top + bottom)
Nivel MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]

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