IAUS260N10S5N019TATMA1 vs IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IAUS260N10S5N019TATMA1 par Infineon et IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 - 25V N-Ch 0.29mΩ MOSFET | Infineon

IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 - 25V N-Ch 0.29mΩ MOSFET | Infineon

IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IAUS260N10S5N019TATMA1 IQDH29NE2LM5CGSCATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $2,95 $1,84
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Series OptiMOS 5 —
Type de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-to-Source Voltage (Vds) 100 V —
Continuous Drain Current (Id) 260 A (Tj) —
On-State Resistance (Rds(on)) 1.9 mΩ (typical, 10 V Vgs) —
Power Dissipation (Pd) 300 W (Tc) —
Boîtier PG-HDSOP-16-2 (TOLT, topside-cooled) PG-WHTFN-9-U02 (WHTFN EP)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Nombre de broches 16 9
Plage de température de fonctionnement -55 C to +175 C (Tj) —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th) value] —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg value] —
Technology OptiMOS 5 trench-gate OptiMOS 5 Power-Transistor
Automotive Qualified Yes (IAUS prefix denotes automotive grade) —
Statut RoHS Compliant Compliant
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 25 V
Continuous Drain Current (Ta) — 75 A
Continuous Drain Current (Tc) — 789 A
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 278 W
Maximum On-Resistance RDS(on) — 0.29 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) — 2 V (typ)
Cooling — Dual-side exposed pad (top + bottom)
Niveau MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]

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