IAUZN04S7L030ATMA1 vs IAUCN04S7L006ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IAUZN04S7L030ATMA1 por Infineon y IAUCN04S7L006ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
IAUCN04S7L006ATMA1 IAUCN04S7L006ATMA1 - 40V 0.6mΩ 175A N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN04S7L006ATMA1 - 40V 0.6mΩ 175A N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN04S7L006ATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro IAUZN04S7L030ATMA1 IAUCN04S7L006ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,36 $1,38
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 60 A —
Pulsed Drain Current (IDM, Tj) 100 A —
On-State Resistance (RDS(on), VGS=10V max) 3.05 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] —
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) 58 W —
Operating Junction Temperature (Tj) -55C to +175C —
Technology Family OptiMOS-7 —
Channel Type N-Channel —
Encapsulado PG-TSDSON-8-44 (S3O8) 3x3 mm² PG-TDSON-8-43
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 (Automotive OptiMOS) —
RoHS Compliance Compliant —
Nivel MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DS) — 40 V
Continuous Drain Current (I_D) — 175 A
R_DS(on) Max — 0.6 mΩ at V_GS = 10 V
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical value]
Gate Charge (Q_g) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Rango de temperatura de funcionamiento — -55 °C to +175 °C
Technology — OptiMOS-7 trench
Automotive Qualified — Yes (AEC-Q101)
Estado RoHS — Compliant
Recuento de pines — 8
Packaging — Tape and Reel (ATMA1)
Polarity — Single N-Channel

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