IAUZN04S7L030ATMA1 vs IAUCN04S7L006ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IAUZN04S7L030ATMA1 par Infineon et IAUCN04S7L006ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IAUZN04S7L030ATMA1 | IAUCN04S7L006ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,36 | $1,38 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | 60 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM, Tj) | 100 A | — |
| On-State Resistance (RDS(on), VGS=10V max) | 3.05 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typical] | — |
| Power Dissipation (PD, Tc=25°C) | 58 W | — |
| Operating Junction Temperature (Tj) | -55C to +175C | — |
| Technology Family | OptiMOS-7 | — |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Boîtier | PG-TSDSON-8-44 (S3O8) 3x3 mm² | PG-TDSON-8-43 |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 (Automotive OptiMOS) | — |
| RoHS Compliance | Compliant | — |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (I_D) | — | 175 A |
| R_DS(on) Max | — | 0.6 mΩ at V_GS = 10 V |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical value] |
| Gate Charge (Q_g) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55 °C to +175 °C |
| Technology | — | OptiMOS-7 trench |
| Automotive Qualified | — | Yes (AEC-Q101) |
| Statut RoHS | — | Compliant |
| Nombre de broches | — | 8 |
| Packaging | — | Tape and Reel (ATMA1) |
| Polarity | — | Single N-Channel |