IPB025N10N3GATMA1 vs IPB020NE7N3GATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPB025N10N3GATMA1 por Infineon y IPB020NE7N3GATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IPB025N10N3GATMA1 IPB020NE7N3GATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $3,74 $2,31
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 75 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 180 A 120 A
Power Dissipation (PD) at Tc 300 W 300 W
RDS(on) Typical at VGS=10V, ID=100A 2.5 mΩ —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 3.5 V —
Input Capacitance (Ciss) 2.58 nF —
Gate Charge (Qg) Typical [DATA_NEEDED: Qg value] —
Encapsulado PG-TO263-7 (D2PAK-7) 6+Tab PG-TO263-3 (D²PAK, TO-263AB)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +175C (junction) -55C to +175C (junction)
Technology OptiMOS 3 trench MOSFET OptiMOS 3 N-Channel Power MOSFET
Nivel MSL 1 (unlimited) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Estado RoHS Compliant Compliant
Sin halógenos Yes —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IPB020NE7N3GATMA1
Polarity — N-Channel
On-State Resistance RDS(on) — 2.0 mΩ typical (per part number code)
Configuration — Single
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max]
Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Lead-Free — Yes
Avalanche Rated — Yes (per OptiMOS 3 family datasheet)

Hojas de datos y recursos

Examinar todos los productos Crear BOM Solicitar cotización