IPB073N15N5ATMA1 vs IPP075N15N3GXKSA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPB073N15N5ATMA1 por Infineon y IPP075N15N3GXKSA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IPB073N15N5ATMA1 IPP075N15N3GXKSA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,82 $1,92
Technology OptiMOS 5 (superjunction trench) N-Channel MOSFET (OptiMOS 3)
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V 150 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 114 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 7.3 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Power Dissition (PD) at Tc=25°C 214 W —
Encapsulado PG-TO263-3-2 (D2PAK-3L, surface mount) PG-TO220-3 (TO-220 through-hole)
Tipo de montaje Surface Mount (SMD) Through Hole
Packaging Tape and Reel (suffix ATMA1) —
Rango de temperatura de funcionamiento -55°C to +175°C (junction) [DATA_NEEDED: junction operating temperature range]
Configuration Single N-channel, 3 pins (Gate, Drain, Source) —
Estado RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
MSL (Moisture Sensitivity Level) [DATA_NEEDED: MSL level] —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 3
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 100 A
Power Dissipation (PD, Tc=25C) — 300 W
On-State Resistance (RDS(on) max, VGS=10V) — 7.5 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: gate-source voltage absolute max]
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Lead-Free / RoHS — RoHS Compliant
Ordering Code Suffix — GXKSA1 (Tube pack, RoHS compliant)

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