IPB35N10S3L26ATMA1 vs BSC109N10NS3GATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPB35N10S3L26ATMA1 por Infineon y BSC109N10NS3GATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IPB35N10S3L26ATMA1 BSC109N10NS3GATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,15 $0,95
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS-T —
Channel Type N-Channel —
Maximum Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC 35 A —
Power Dissipation (PD) at TC 71 W —
Package Type PG-TO263-3 (D2PAK-2) —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Recuento de pines 3 (Gate, Drain, Source) 8
Channel Mode Enhancement —
RDS(on) (typical per Infineon product page) 26.3 mΩ —
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 80 nC —
Maximum Drain-Source Resistance Rds 1.7 mΩ (per RS Components listing) —
Minimum Operating Temperature -55 C —
Maximum Power Dissipation Pd 81 W (per RS Components listing) —
Estado RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
AEC-Q101 Qualification [DATA_NEEDED: AEC-Q101 qualification status] —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 63 A
Power Dissipation (PD, Tc) — 78 W
RDS(on) Max — 10.9 mOhm at VGS=10 V
Technology — OptiMOS 3
Encapsulado — PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm)
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Gate Charge (Qg) — 26 nC
Rango de temperatura de funcionamiento — -55C to +175C
Avalanche Energy Rated — Yes
Lead-Free — Yes

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