IPB35N10S3L26ATMA1 vs BSC109N10NS3GATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPB35N10S3L26ATMA1 par Infineon et BSC109N10NS3GATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPB35N10S3L26ATMA1 BSC109N10NS3GATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,15 $0,95
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS-T —
Channel Type N-Channel —
Maximum Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC 35 A —
Power Dissipation (PD) at TC 71 W —
Package Type PG-TO263-3 (D2PAK-2) —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Nombre de broches 3 (Gate, Drain, Source) 8
Channel Mode Enhancement —
RDS(on) (typical per Infineon product page) 26.3 mΩ —
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 80 nC —
Maximum Drain-Source Resistance Rds 1.7 mΩ (per RS Components listing) —
Minimum Operating Temperature -55 C —
Maximum Power Dissipation Pd 81 W (per RS Components listing) —
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
AEC-Q101 Qualification [DATA_NEEDED: AEC-Q101 qualification status] —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 63 A
Power Dissipation (PD, Tc) — 78 W
RDS(on) Max — 10.9 mOhm at VGS=10 V
Technology — OptiMOS 3
Boîtier — PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm)
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Gate Charge (Qg) — 26 nC
Plage de température de fonctionnement — -55C to +175C
Avalanche Energy Rated — Yes
Lead-Free — Yes

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