IPB60R190C6ATMA1 vs IPA60R190C6XKSA1 Comparación
Comparación detallada lado a lado de IPB60R190C6ATMA1 por Infineon y IPA60R190C6XKSA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | IPB60R190C6ATMA1 | IPA60R190C6XKSA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoría | MOSFETs | MOSFETs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $1,45 | $1,18 |
| Technology | CoolMOS C6 Superjunction N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 20.2 A | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | 151 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 190 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | +/-20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 3.5 V (typ) | 3.5 V |
| Total Gate Charge (Qg) typ | 32 nC | — |
| Rango de temperatura de funcionamiento | -55C to +150C | -55C to +150C |
| Encapsulado | PG-TO263-3 (D2PAK) | PG-TO220-FP (TO-220 FullPAK, 3+tab) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Through Hole |
| Recuento de pines | 3 (Gate, Drain, Source) | — |
| Nivel MSL | 1 | — |
| Estado RoHS | Compliant | Compliant |
| Avalanche Energy Rated | Yes (EAS per datasheet) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | CoolMOS C6 |
| Tipo de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | — | 20.2 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Power Dissipation (PD, Tc=25C) | — | 34 W |
| On-State Resistance (RDS(on)) | — | 190 mOhm at VGS=10V, ID=9.5A |
| Gate Charge (Qg, typ) | — | [DATA_NEEDED: Qg typ] |
| Tab Isolation | — | Fully isolated (4 kV) |
| Lead Free | — | Yes |