IPB60R280P7ATMA1 vs IAUC50N08S5N102ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPB60R280P7ATMA1 por Infineon y IAUC50N08S5N102ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
IAUC50N08S5N102ATMA1 IAUC50N08S5N102ATMA1 - 80V 50A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUC50N08S5N102ATMA1 - 80V 50A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUC50N08S5N102ATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro IPB60R280P7ATMA1 IAUC50N08S5N102ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,88 $0,51
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family CoolMOS P7 (600 V) —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Technology Superjunction (SJ) —
Drain-Source Voltage (V_DSS) 600 V —
Continuous Drain Current (I_D, T_C=25°C) 12 A —
On-Resistance R_DS(on) max (V_GS=10V) 280 mOhm —
Gate-Source Threshold V_GS(th) typ 3.5 V —
Power Dissipation P_D (T_C=25°C) 53 W —
Encapsulado PG-TO263-3 (D2PAK) —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Recuento de pines 3 (2 + Tab) —
Rango de temperatura de funcionamiento -55 °C to +150 °C (T_j max) -55°C to +175°C
Configuration Single N-Channel —
Estado RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Generation 7th Gen CoolMOS (successor to P6) —
Series — OptiMOS 5
Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 50 A
On-Resistance (RDS(on)) — 10.2 mΩ @ 25 A, 10 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Gate-Source Voltage (VGS) Max — ±20 V
Total Gate Charge (Qg) — 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) — 1394 pF @ 40 V
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 60 W
Encapsulado / Carcasa — PG-TDSON-8-33
Qualification — AEC-Q101
Nivel MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]

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