IPC100N04S51R7ATMA1 vs IPC50N04S55R8ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPC100N04S51R7ATMA1 por Infineon y IPC50N04S55R8ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
IPC100N04S51R7ATMA1 IPC100N04S51R7ATMA1 - 40V 100A OptiMOS-5 N-FET | Infineon

IPC100N04S51R7ATMA1 - 40V 100A OptiMOS-5 N-FET | Infineon

IPC100N04S51R7ATMA1 ✓ Activo
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IPC50N04S55R8ATMA1 IPC50N04S55R8ATMA1 - 40V 50A OptiMOS 5 N-FET | Infineon

IPC50N04S55R8ATMA1 - 40V 50A OptiMOS 5 N-FET | Infineon

IPC50N04S55R8ATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro IPC100N04S51R7ATMA1 IPC50N04S55R8ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,82 $0,61
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS-5 —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET, Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage VDS 40 V —
Continuous Drain Current ID 100 A (at TC) —
Pulsed Drain Current IDM [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage VGS [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) value] —
On-Resistance RDS(on) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Power Dissipation PD 115 W (at TC) —
Thermal Resistance RthJC 1.3 K/W —
Temperatura de unión de funcionamiento -55 °C to +175 °C —
Encapsulado PG-TDSON-8-34 (SS08 leadless) PG-TDSON-8-33 (TDSON EP)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Nivel MSL MSL1 (260 °C peak reflow) MSL1 (260 °C peak reflow)
AEC-Q101 Qualified Yes —
Avalanche Tested 100% tested —
Estado RoHS Compliant (Green Product) —
Built-in Body Diode Yes —
FET Type — N-Channel
Technology — OptiMOS 5 (trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (V_DS) — 40 V
Continuous Drain Current (I_D) at Tc — 50 A
Power Dissipation (P_D) at Tc — 42 W
R_DS(on) Max (V_GS=10V) — 5.8 mΩ
Output Capacitance (C_oss) — 305 pF
Gate Threshold (V_GS(th)) — [DATA_NEEDED: V_GS(th)]
Rango de temperatura de funcionamiento — -55 °C to +175 °C
Automotive Qualification — AEC-Q101
Avalanche Rating — 100% Avalanche Tested
RoHS / Green — RoHS compliant, Green Product
Polarity — Enhancement Mode

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