IPC100N04S51R7ATMA1 vs IPC50N04S55R8ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPC100N04S51R7ATMA1 par Infineon et IPC50N04S55R8ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IPC100N04S51R7ATMA1 IPC100N04S51R7ATMA1 - 40V 100A OptiMOS-5 N-FET | Infineon

IPC100N04S51R7ATMA1 - 40V 100A OptiMOS-5 N-FET | Infineon

IPC100N04S51R7ATMA1 ✓ Actif
Infineon
IPC50N04S55R8ATMA1 IPC50N04S55R8ATMA1 - 40V 50A OptiMOS 5 N-FET | Infineon

IPC50N04S55R8ATMA1 - 40V 50A OptiMOS 5 N-FET | Infineon

IPC50N04S55R8ATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IPC100N04S51R7ATMA1 IPC50N04S55R8ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,82 $0,61
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS-5 —
Type de transistor N-Channel MOSFET, Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage VDS 40 V —
Continuous Drain Current ID 100 A (at TC) —
Pulsed Drain Current IDM [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage VGS [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) value] —
On-Resistance RDS(on) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Power Dissipation PD 115 W (at TC) —
Thermal Resistance RthJC 1.3 K/W —
Température de jonction en fonctionnement -55 °C to +175 °C —
Boîtier PG-TDSON-8-34 (SS08 leadless) PG-TDSON-8-33 (TDSON EP)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL MSL1 (260 °C peak reflow) MSL1 (260 °C peak reflow)
AEC-Q101 Qualified Yes —
Avalanche Tested 100% tested —
Statut RoHS Compliant (Green Product) —
Built-in Body Diode Yes —
FET Type — N-Channel
Technology — OptiMOS 5 (trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (V_DS) — 40 V
Continuous Drain Current (I_D) at Tc — 50 A
Power Dissipation (P_D) at Tc — 42 W
R_DS(on) Max (V_GS=10V) — 5.8 mΩ
Output Capacitance (C_oss) — 305 pF
Gate Threshold (V_GS(th)) — [DATA_NEEDED: V_GS(th)]
Plage de température de fonctionnement — -55 °C to +175 °C
Automotive Qualification — AEC-Q101
Avalanche Rating — 100% Avalanche Tested
RoHS / Green — RoHS compliant, Green Product
Polarity — Enhancement Mode

Fiches techniques et ressources

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