IPD30N10S3L34ATMA2 vs IPD33CN10NGATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPD30N10S3L34ATMA2 por Infineon y IPD33CN10NGATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
IPD30N10S3L34ATMA2 IPD30N10S3L34ATMA2 - 100V 30A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD30N10S3L34ATMA2 - 100V 30A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD30N10S3L34ATMA2 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro IPD30N10S3L34ATMA2 IPD33CN10NGATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,92 $0,32
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DS) 100 V —
Continuous Drain Current (I_D, Tc) 30 A —
Pulsed Drain Current (I_DM) 180 A —
Power Dissipation (P_D, Tc) 57 W —
R_DS(on) max at V_GS=10V 31 mOhm (typ) —
Gate Threshold Voltage V_GS(th) max 2.4 V —
Total Gate Charge (Qg) max 31 nC —
Temperatura de unión de funcionamiento -55 C to +175 C —
Package / Supplier Device Package PG-TO252-3-11 (DPAK) —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Pin / Tab Count 3 (2 + Tab) —
Technology OptiMOS-T (trench) OptiMOS (Trench)
Automotive Qualification AEC-Q101 —
Nivel MSL [DATA_NEEDED: MSL level] 1
Estado RoHS Compliant Compliant
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 27 A
Power Dissipation (PD, Tc) — 58 W
Encapsulado — PG-TO252-3 (DPAK), Surface Mount
Recuento de pines — 3 (Gate, Drain, Source)
Rango de temperatura de funcionamiento — -55C to +175C (TJ)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
On-Resistance RDS(on) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: typical Qg]
Lead-Free — Yes

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