IPD33CN10NGATMA1 vs IPD70N10S312ATMA2 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPD33CN10NGATMA1 por Infineon y IPD70N10S312ATMA2 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IPD33CN10NGATMA1 IPD70N10S312ATMA2
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,32 $0,69
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 27 A 70 A
Power Dissipation (PD, Tc) 58 W —
Technology OptiMOS (Trench) OptiMOS-T Power-MOSFET (N-Channel)
Encapsulado PG-TO252-3 (DPAK), Surface Mount PG-TO252-3-11 (DPAK)
Recuento de pines 3 (Gate, Drain, Source) 3 (Gate, Drain, Source)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +175C (TJ) -55C to +175C
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
On-Resistance RDS(on) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: typical Qg] —
Estado RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Nivel MSL 1 1 (unlimited floor life)
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IPD70N10S312ATMA2
Power Dissipation (Ptot, Tc=25C) — 125 W
On-State Resistance RDS(on) — [DATA_NEEDED: typical RDS(on) at VGS=10V]
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Channel Type — N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated — Yes

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