IPD33CN10NGATMA1 vs IPD70N10S312ATMA2 비교
다음의 상세 나란히 비교: IPD33CN10NGATMA1 제조: Infineon 및 IPD70N10S312ATMA2 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | IPD33CN10NGATMA1 | IPD70N10S312ATMA2 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.32 | $0.69 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 27 A | 70 A |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 58 W | — |
| Technology | OptiMOS (Trench) | OptiMOS-T Power-MOSFET (N-Channel) |
| 패키지 | PG-TO252-3 (DPAK), Surface Mount | PG-TO252-3-11 (DPAK) |
| 핀 수 | 3 (Gate, Drain, Source) | 3 (Gate, Drain, Source) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 동작 온도 범위 | -55C to +175C (TJ) | -55C to +175C |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| On-Resistance RDS(on) | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: typical Qg] | — |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| MSL 레벨 | 1 | 1 (unlimited floor life) |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | IPD70N10S312ATMA2 |
| Power Dissipation (Ptot, Tc=25C) | — | 125 W |
| On-State Resistance RDS(on) | — | [DATA_NEEDED: typical RDS(on) at VGS=10V] |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Channel Type | — | N-Channel Enhancement Mode |
| Avalanche Rated | — | Yes |