IPD5N25S3430ATMA1 vs IPD60R180P7ATMA1 Comparación
Comparación detallada lado a lado de IPD5N25S3430ATMA1 por Infineon y IPD60R180P7ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | IPD5N25S3430ATMA1 | IPD60R180P7ATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoría | MOSFETs | MOSFETs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $0,39 | $0,81 |
| Tipo de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | OptiMOS (planar-trench) | Superjunction (SJ) N-channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 250 V | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | 5 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 20 A | — |
| RDS(on) max @ VGS=10V | 430 mΩ | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | 3 V typ / 4 V max | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 422 pF typical | — |
| Power Dissipation (PD, Tc=25°C) | 41 W | — |
| Temperatura de unión de funcionamiento | -55 °C to +175 °C | -55C to +150C |
| Encapsulado | PG-TO252-3-313 (DPAK, surface mount) | PG-TO252-3 (DPAK) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | — |
| Estado RoHS | ROHS3 Compliant | Compliant |
| Lead Finish | Matte Tin (lead-free) | — |
| Nivel MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (unlimited) |
| Configuration | Single, 3-pin (2+Tab) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | CoolMOS P7 |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 18 A |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 180 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | +/-20 V |
| Total Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 72 W |
| Lead-Free | — | Yes |
| Shipping Package | — | Tape and Reel (ATMA1 suffix) |