IPD60R180P7ATMA1 vs IPD5N25S3430ATMA1 Comparación
Comparación detallada lado a lado de IPD60R180P7ATMA1 por Infineon y IPD5N25S3430ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | IPD60R180P7ATMA1 | IPD5N25S3430ATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoría | MOSFETs | MOSFETs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $0,81 | $0,39 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | CoolMOS P7 | — |
| Technology | Superjunction (SJ) N-channel MOSFET | OptiMOS (planar-trench) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | 250 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 18 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 180 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | +/-20 V | — |
| Total Power Dissipation (PD) at TC=25C | 72 W | — |
| Temperatura de unión de funcionamiento | -55C to +150C | -55 °C to +175 °C |
| Encapsulado | PG-TO252-3 (DPAK) | PG-TO252-3-313 (DPAK, surface mount) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Nivel MSL | 1 (unlimited) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Estado RoHS | Compliant | ROHS3 Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Shipping Package | Tape and Reel (ATMA1 suffix) | — |
| Tipo de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | — | 5 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 20 A |
| RDS(on) max @ VGS=10V | — | 430 mΩ |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 3 V typ / 4 V max |
| Input Capacitance (Ciss) | — | 422 pF typical |
| Power Dissipation (PD, Tc=25°C) | — | 41 W |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 |
| Lead Finish | — | Matte Tin (lead-free) |
| Configuration | — | Single, 3-pin (2+Tab) |