IPD60R180P7ATMA1 vs IPD5N25S3430ATMA1 比較

詳細な並列比較: IPD60R180P7ATMA1 メーカー: Infineon および IPD5N25S3430ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IPD60R180P7ATMA1 IPD60R180P7ATMA1 - 600V 180mOhm CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPD60R180P7ATMA1 - 600V 180mOhm CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPD60R180P7ATMA1 ✓ 生産中
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IPD5N25S3430ATMA1 IPD5N25S3430ATMA1 - 250V 5A N-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD5N25S3430ATMA1 - 250V 5A N-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD5N25S3430ATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IPD60R180P7ATMA1 IPD5N25S3430ATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.81 $0.39
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family CoolMOS P7 —
Technology Superjunction (SJ) N-channel MOSFET OptiMOS (planar-trench)
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 250 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 18 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 180 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/-20 V —
Total Power Dissipation (PD) at TC=25C 72 W —
動作接合温度 -55C to +150C -55 °C to +175 °C
パッケージ PG-TO252-3 (DPAK) PG-TO252-3-313 (DPAK, surface mount)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
MSLレベル 1 (unlimited) 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS ステータス Compliant ROHS3 Compliant
Lead-Free Yes —
Shipping Package Tape and Reel (ATMA1 suffix) —
トランジスタタイプ — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 5 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 20 A
RDS(on) max @ VGS=10V — 430 mΩ
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — 3 V typ / 4 V max
Input Capacitance (Ciss) — 422 pF typical
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) — 41 W
Automotive Qualification — AEC-Q101
Lead Finish — Matte Tin (lead-free)
Configuration — Single, 3-pin (2+Tab)

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